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Precision Quantum Hall Resistance Measurement on Epitaxial Graphene Device in Low Magnetic Field

机译:外延石墨烯的精密量子霍尔电阻测量   低磁场中的器件

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摘要

Precision quantum Hall resistance (QHR) measurements were performed onlarge-area epitaxial graphene device at low magnetic fields (B = 2 T - 8 T) attemperature T = 1.5 K. Hall resistance was measured using Cryogenic CurrentComparator resistance bridge with high biasing current Isd = 40 micro ampere.The results showed that at B = 8 T the relative deviation of Hall resistancefrom the expected quantized value h/2e2 is within experimental uncertainty of3.5 parts in 108 and remained below 0.35 parts per million (ppm) down to B = 3T.
机译:精密量子霍尔电阻(QHR)测量是在温度T = 1.5 K的低磁场(B = 2 T-8​​ T)的大面积外延石墨烯器件上进行的。霍尔电阻使用具有高偏置电流Isd =的低温电流比较器电阻桥进行测量40微安培。结果表明,在B = 8 T时,霍尔电阻与预期量化值h / 2e2的相对偏差在108个实验中的3.5份不确定度之内,并一直低于0.35百万分之一(ppm)直到B = 3T。

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